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返回 2022-01-24

年報預增21倍,功率半導體龍頭全年凈利創新高,高端Mos管供不應求

本文源自:財聯社

  產品優化產線滿產、產品綜合毛利率顯著改善,令士蘭微(600460.SH)2021年凈利有望創歷史新高,其業績增幅也位列目前A股半導體公司榜首。而公司持有的其他非流動金融資產增值也成為另一關注點。1月21日晚間,財聯社記者從士蘭微獲悉,公司目前訂單飽滿,產能壓力較大,尤其是高端Mos管供不應求,無法滿足大客戶需求。

  1月21日下午,士蘭微披露2021年年度業績預增公告,預計凈利比上年增加14.5億元-14.64億元,同比增長2145%-2165%。財聯社記者關注到,2021年士蘭微籌劃了股票期權激勵計劃,業績目標為2021-2024四年的累積營收相比2020年將增長767%。

  值得一提的是,2021年士蘭微凈利大增原因之一,是其持有的其他非流動金融資產增值較多。具體為:安路科技于2021年11月在科創板上市,公司享有的凈資產份額按期末公允價值調整,導致凈利增加5.34億元;視芯科技2021年引入外部投資者,公司享有的凈資產份額按期末公允價值調整,導致凈利增加5229萬元。

  對于業績預增原因,士蘭微表示,2021年公司基本完成了年初制定的產能建設目標,公司產品持續在白電、通訊、工業、光伏、新能源汽車等高門檻市場取得突破;電源管理芯片、MEMS傳感器、IPM(智能功率模塊)、MOSFET、IGBT、SBD、TVS、FRD、LED等產品營業利潤大幅度增加。需要指出的是,在備受關注的晶圓制造環節方面,2021年士蘭微控股子公司士蘭集昕8吋線基本保持滿產,實現全年盈利;另一控股子公司士蘭明芯LED芯片生產線也實現全年盈利。

  財聯社記者關注到,近期有業內人士指出,市場對士蘭微未來業績的擔憂主要集中在:Mos降價和IGBT被碳化硅替代。對此,士蘭微相關負責人對財聯社記者表示,碳化硅在汽車應用上有一定的優勢,但目前成本非常高,短期內實現產業化困難較大,量方面滿足不了汽車的增長需求,所以IGBT是未來是主流,“如今IGBT性價比很高,且技術還在不斷提升,國際大廠包括英飛凌在內,都認為IGBT和碳化硅未來是一個組合。”

  產品矩陣豐富是士蘭微的主要優勢之一。前述公司相關負責人進一步表示,公司SiC功率器件的中試線已在2021年二季度實現通線,但相關技術的發展和成熟需要時間。此外,士蘭微也在加碼化合物半導體領域,計劃逐步實現控股相關平臺公司。

  至于Mos降價,目前市場上主要集中在平面Mos和低壓Mos,超結Mos價格依舊堅挺。據了解,目前士蘭微Mos中超結Mos占比已經超過50%,因此平面Mos和低壓Mos降價其影響會逐漸變小。

  目前,多家半導體板塊企業已披露業績預告。觀察來看,半導體行業整體維持業績高增速,且上游設計和晶圓制造的增速要高于封測:

  晶圓制造和設計企業中,華潤微(688396.SH)預計去年凈利約22.09億元-22.33億元,增幅為1.29倍-1.32倍;力芯微(688601.SH)預估去年凈利1.6億元左右,增幅為1.39倍左右;新潔能(605111.SH)預計去年凈利潤同比增長192.78%-196.37%;主營芯片封測的晶方科技(603005.SH)預計,2021年凈利為5.5億元-5.75億元,同比增長44.65%-50.67%;半導體設備環節的北方華創(002371.SZ)預計,去年凈利潤9.40億元-12.08億元,同比增長75%-125%。